TRANSISTOR QUANTICO - hydrobetatron

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TRANSISTOR QUANTISTICO



TRANSISTOR QUANTISTICO

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Questa tecnologia apre la strada allo sviluppo di una nuova classe di componenti
elettronici realizzati utilizzando quella che appare una qualità della materia  e non una qualità dei singoli materiali.

Componenti che hanno caratteristiche del tutto diverse da quelli realizzati con il silicio e cioè funzionamento con tensioni di millivolt o meno, capacità di resistenza a campi magnetici rilevanti e a radiazioni ionizzanti.

Tramite questa nuova tecnologia sarà  possibile  realizzare dispositivi elettronici (porte logiche - flip/ flop ecc.) in grado di replicare gli attuali dispositivi elettronici basati sull'uso del silicio, con dispositivi realizzati con qualsiasi metallo, i quali peraltro, da prove effettuate sul dispositivo  e ancora in corso,  risulterebbero  immuni dai danni da radiazioni e quindi ideali per applicazioni spaziali o nucleari.

Va anche detto che il dispositivo commuta anche con tensioni molto piccole (prove eseguite con 1mV hanno dato esito positivo)  addirittura anche a vuoto e quindi il dispositivo è in grado di consumare in maniera irrisoria e la sua eventuale integrazione è favorita dalla bassissima (anche nulla) tensione di funzionamento.

Il transistor (quantisitico) così ottenuto è quindi del tutto diverso da quelli attualmente in uso, esso è in grado di modificare il suo stato senza alcuna connessione elettrica e quindi senza alcun consumo di energia , salvo quella necessaria per la generazione del segnale di comando.
Per il momento il dispositivo realizzato utilizzando tale fenomeno è stato in grado di memorizzare uno stato logico(1/0) senza l’utilizzo di alcun componente elettronico attivo.

Questo apre la strada allo sviluppo di una nuova classe di componenti elettronici, componenti che hanno caratteristiche innovative e diverse da quelli realizzati con il silicio e cioè sono in grado di funzionare con tensioni insignificanti ( se non nulle) e con capacità di resistenza a campi magnetici rilevanti e alle radiazioni ionizzanti.
Va anche detto che l'abbattimento della resistenza elettrica nel dispositivo avviene in tempi rapidissimi e che con l'uso di materiali molto ordinati quali il grefene, si avvicina a livelli estremamente bassi (attualmente  33 centesimi di ohm ) , inducendoci a pensare che tale via sia promettente per la realizzazione di materiali superconduttori a temperature vicine a quelle ambientale…


 
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